06. Januar 2011

Infraroter Kraftprotz

Die Power TOPLED SFH4250S von OSRAM Opto Semiconductors liefert fast doppelt so viel infrarotes Licht wie das Standardbauteil SFH4250. Im Dauerbetrieb erreicht die neue IR-LED bei 70 mA Betriebsstrom etwa 22 mW/sr Strahlstärke und 70 mW optische Leistung. Mit seiner hohen Strahldichte aus kleiner Fläche ermöglicht das Bauteil sehr kompakte Beleuchtungseinheiten. Die hocheffizienten IR-LED erzielen zudem in bestehenden Designs höhere Reichweiten – davon profitieren zum Beispiel 3D-TV Geräte.

Dank der hocheffizienten Stack-Technologie für Dünnfilmchips bringt die infrarote Power TOPLED SFH4250S knapp doppelt soviel Leistung wie bisher und ermöglicht zum Beispiel höhere Reichweiten für 3D-TV Geräte [Bild: Osram GmbH]

OSRAM Opto Semiconductors konnte diese drastische Leistungssteigerung dank seiner Stack-Technologie für Dünnfilmchips realisieren. Vor einem Jahr für großflächige Chips von 1 mm2 eingeführt, verfügen Stack-Chips über die Serienschaltung von zwei statt einem p-n Übergang und liefern fast doppelt soviel optische Leistung. Für die SFH4250S wurde die einzigartige Technologie auf Chips mit 300 µm Kantenlänge übertragen. „Mit dieser Kombination aus bewährtem Chipdesign und Standard-Gehäusen können   unsere Kunden ein erweitertes Portfolio an leistungsstarken Emittern nutzen, ohne ihre Designs zu ändern“ betont Harald Feltges, Marketing Manager für Infrarot-Bauelemente bei OSRAM Opto Semiconductors. Die neue Stack-Power TOPLED erlaubt einen Pulsbetrieb bis zu 1 A Betriebsstrom und erreicht dabei 220 mW/sr Strahlstärke und 700 mW Ausgangsleistung.



Von dem neuen Bauteil profitieren vor allem Anwendungen, in denen kompakte Beleuchtungseinheiten größere Bereiche mit infrarotem Licht ausleuchten. Ein aktuelles Beispiel sind 3D-TV Geräte. Hierbei wird die Synchronisation zwischen den Shutterbrillen und dem TV-Bild von leistungsstarken IR Emittern übernommen, die den Raum vor dem Fernseher auf bis zu 7 m Entfernung ausleuchten. „Die neue Stack-Power TOPLED reduziert die Zahl der IR-LED pro Gerät auf fast die Hälfte bzw. verbessert die Reichweite eines existierenden Designs.“ freut sich Feltges.

Mit 850 nm Wellenlänge ist das emittierte Licht der SFH4250S für den Menschen unsichtbar und stört auch die Fernbedienung nicht, die bei etwa 950 nm arbeitet. Auch viele Computerspiele setzen auf 3D-Technik und profitieren so von den neuen IR-Emittern. Vorteile bietet die aktuelle Leistungssteigerung ebenso für Sicherheitssysteme im Automobilbereich, allen voran die Beifahrerüberwachung für die Airbagaktivierung und Beobachtungssysteme zur Früherkennung von Müdigkeit beim Fahrern (Drowsy-Driver System).

Die Stack-Technologie für Dünnfilmchips hat sich in zahlreichen Anwendungen – von Nachtsichteinheiten in Fahrzeugen bis hin zu Sensoren in mobilen Endgeräten bewährt. Letztere profitieren vor allem von der guten Effizienz der Stack-Chips. OSRAM Opto Semiconductors baut mit der Ausweitung der Stack-Technologie auf die Power TOPLED-Baureihe seine Vormachtstellung im Bereich leistungsstarker IR-Emitter weiter aus. Die neue Power TOPLED SFH 4250S ist ab sofort verfügbar.




 
 

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