07. Februar 2011

Cree bringt 150 mm Siliziumkarbid-Substrate

CREE, ein führender Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, stellte vor Kurzem seine leistungsfähigen und qualitativ hochwertigen 150 mm Siliziumkarbid-Substrate mit Micropipe-Dichten von weniger als 10/cm² vor. Damit ist Cree ein wichtiger Schritt in der Entwicklung und Großserien-Kommerzialisierung der Siliziumkarbid-Technologie (SiC) gelungen. Der derzeitige Standard bei SiC-Substraten liegt bei 100 mm Materialdurchmesser.

[Bild: Cree Inc.]

Bei SiC handelt es sich um einen leistungsfähigen Halbleiterwerkstoff, der für die Produktion von Beleuchtungs-, Leistungs- und Kommunikations-Bauelementen verwendet wird. Besonders häufig wird dieser Werkstoff für Leuchtdioden (LED), Leistungs-Schaltbausteine und HF-Leistungstransistoren für die drahtlose Kommunikation eingesetzt.



Durch die entscheidende Größensteigerung der Einkristall-SiC-Substrate auf 150 mm können Kosten gesenkt und mehr Durchsatz erzielt werden, wodurch die SiC-Branche stetig weiter wächst.

„Mit der Herstellung von 150 mm SiC-Substraten ist Cree ein entscheidender Fortschritt zur Verbesserung der SiC-Materialtechnologie gelungen“, so Ralf Bühler, Vice President EMEA bei Cree. „Mit den 150 mm Substraten von Cree können die Kosten von Bauelementen gesenkt und gleichzeitig der Produktionsdurchsatz gesteigert werden. Cree bietet seinen Kunden damit ein noch breiteres Produktangebot für intelligente und leistungsfähige Beleuchtungslösungen.“




 
 

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