Die Verfügbarkeit von sehr kleinen und kostengünstigen roten, blauen und grünen Halbleiterlasern ist entscheidend für die Verbreitung der RGB-Laserprojektion in großem Maßstab. Die Laserdioden ermöglichen die Fertigung von kostengünstigen, kompakten und effizienten Pico-Projektoren, die in mobilen Geräten wie Smartphones oder Digitalkameras integriert werden können. Aufgrund der besonderen Strahleigenschaften von Lasern verfügen diese Projektoren über eine unbegrenzte Tiefenschärfe und eine extrem hohe Bildauflösung, die noch über die der LED-Lösungen hinausgeht.
Die geringe spektrale Bandbreite der Halbleiterlaser ermöglicht eine naturgetreue Darstellung von Farben sowie gestochen scharfe Kontraste.
Erst 2006 begann OSRAM Opto Semiconductors mit der Entwicklung von direkt blauen Laserdioden für die RGB-Laserprojektion. Diese werden heute erfolgreich in ersten Geräten auf dem Markt eingesetzt. Auf Grundlage der Erkenntnisse beim blauen Laser im InGaN-Materialsystem schaffte es das Team nun innerhalb sehr kurzer Zeit, die Schallmauer hin zu grün von 500nm Wellenlänge zu durchbrechen und 2009 schließlich die Technologieführerschaft für direkt grüne Laserdioden >515nm mit optischen Leistungen größer 50mW zu übernehmen.
Die Karl Heinz Beckurts-Stiftung vergibt den Preis für die Würdigung herausragender wissenschaftlicher und technischer Leistungen, von denen erkennbare und von den Preisträgern geförderte Impulse für industrielle Innovationen in Deutschland ausgehen.
Die Grundlagenentwicklung der blauen und grünen Laserdioden und die Untersuchung zur Miniaturisierung der Systeme in der mobilen Laserprojektion werden vom Projekt MOLAS – Technologien für ultrakompakte und mobile Laser-Projektionssysteme – im Rahmen der Förderinitiative „Optische Komponenten und Systeme für Volumenmärkte“ des Bundesministeriums für Bildung und Forschung unterstützt (Förderkennzeichen FKZ 13N9373). Zudem arbeitet OSRAM im innovativen Forschungsgebiet der Nitridlaser mit mehreren deutschen Universitäten und Forschungsinstituten zusammen. So ist Désirée Querens Dissertation aus einer Kooperation mit der Universität Erlangen hervorgegangen. Die Grundlage für die Ergebnisse bei den Halbleiterlasern wurde bereits 1998 durch die Entwicklungsaktivitäten zu UV-Lasern gelegt, die v.a. im Rahmen des Projektes "Blauer Laser auf GaN-Basis für innovative Speichersysteme" stattfanden.
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